1 主题内容与通用范围 
 本标准给出了电力半导体器件工艺用高纯水(以下称高纯水)的级别、技术要求、测试方法和规则。  本标准适用于去离子处理后的高纯水。
2 引用标准  GB11446电子级水及其检测方法
3术语 
3．1 电导率electrical conductivityctricalconduc2ivity 
 在规定温度下，1cm3水溶液两相对面之间测得的电阻值的倒数。电导率通常以μS/cm为单位。 水的理论电导率为0.0548μs/cm(25℃时)。 
3．2电阻率resistivity  电导率之倒数。纯水的理论电阻率为18.3MΩ.cm(25℃时)。温度升高时电阻率下降。 
3．3颗粒性物质granular sulbstance 
 除气体以外，以非液态形式分散在水中，并形成非均匀相混合物的物质。 
3．4总有机碳(TOC)total organic carbon  水中以各种有机物形式存在的碳的总量。包括易被—般强氧化剂氧化的有机物和需用特殊 化的有机物。 
3．5总固体total solid   水样蒸发、烘干后残留的固总量。 
3. 6全硅total silicon    水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量。全硅和可溶性硅之差即叫为胶体硅。 
3．7高纯水high-pure water, ultrapure water
电阻率在5MΩ·cm以上，各种形式存在的物质含量有一定规定限制的很纯净水 

3．8原水raw watcr 
 纯化处理之前的水。常用的原水将自来水、井水、河水等。 
3．9终端terminal。 高纯水生产流程中经过各道冲化工艺后，水的出口使用地点。可分别称为制水终端和用水
3．10微量micro-amount  试样量在1mg左右。 
3．11 痕量trace amount 试样量在1μg左右。 
3．12百万分之一(ppm) part per million 
重量比的量，相当于每百万重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分析中，一殷也认为相当每升水样含杂质的毫克数(mg／L)。
3．13十亿分之一(ppb)part per billion  重量比的单位，相当于每十亿重量单位重量的溶液中含一单位重量的溶质，在水质分折中，一般认为相当于短升水样含杂质的微克数(μg／L)。
4高纯水的级别 
4．1高纯水可分为电子级高纯水和普通高纯水，分别用符号EH和pH标志。
4. 2电子级高纯水
4．2．1在制造工艺中使用电子级高纯水的电力半导体器件有如下特点：
a．具有精细图形结构；b．对器件表面有特殊要求；c．工艺对水质有特定的严格要求。
4．2．2电子级高纯水分为两个级别：特级和I级。它们的标志分别是：
特级电子级高纯水：EH—T
一级电子级高纯水：EH—1
4．3普通高纯水
4．3．1普通高纯水用于一般电力半导体器件的制造工艺中。
4．3．2普双高纯水分为三个级别：Ⅰ级、Ⅱ级和Ⅲ级。它们的标志分别是：
I级普通高纯水：pH—Ⅰ   x级普通高纯水：PH—Ⅱ  m级普通高纯水：pH—Ⅲ
4. 4电阻率低于5MΩ·cm的水不能称为高纯水。
5技术要求

5．1电子级高纯水
5．1．1电子级高纯水应考核四项内容：
a. 水中自由离子浓度(主要影响电阻率)；b．水中悬浮微粒的数量和大小；C. 水中有机物总量；d. 水中细菌微生物状况。
5. 1. 2电子级高纯水的各项技术指标由表1给出。